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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      KCI등재

      고전압 Field Stop IGBT의 최적화 설계에 관한 연구 = The Optimal Design of High Voltage Field Stop IGBT

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      https://www.riss.kr/link?id=A101055253

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Power semiconductor device has a very long history among semiconductor, since the invention of low-pressure bipolar transistor 1947, and so far from small capacity to withstand voltage-current, high-speed and high-frequency characteristics have been d...

      Power semiconductor device has a very long history among semiconductor, since the invention of low-pressure bipolar transistor 1947, and so far from small capacity to withstand voltage-current, high-speed and high-frequency characteristics have been developed with high function. In this study, the PWM IC Switch to the main parts used in IGBT (insulated gate bipolar transistor) for the low power loss and high drive capability of the simulator to Synopsys' T-CAD used by the 1,700 V NPT Planar IGBT, 1,700 V FS was a study of the Planar IGBT, the results confirmed that IGBT 1,700 V FS Planar is making about 11 percent less than the first designed NPT Planar IGBT.

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      참고문헌 (Reference)

      1 강이구, "인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구" 한국전기전자재료학회 15 (15): 0-0, 2002

      2 경신수, "고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법" 한국전기전자재료학회 22 (22): 12-16, 2009

      3 Gates, "Introduction to Electronics 4/E Hardcover" Delmar 2001

      4 Malvino, "Electronic Principles" McGraw-Hill College 2006

      5 남태진, "Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구" 한국전기전자재료학회 24 (24): 713-717, 2011

      1 강이구, "인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구" 한국전기전자재료학회 15 (15): 0-0, 2002

      2 경신수, "고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법" 한국전기전자재료학회 22 (22): 12-16, 2009

      3 Gates, "Introduction to Electronics 4/E Hardcover" Delmar 2001

      4 Malvino, "Electronic Principles" McGraw-Hill College 2006

      5 남태진, "Al₂O₃ 게이트 절연막을 이용한 GaN Power MOSFET의 설계에 관한 연구" 한국전기전자재료학회 24 (24): 713-717, 2011

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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