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2006년
eng
0914-2908
학술저널
REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOSEI UNIVERSITY -SUPPLEMENT-
1-6 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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LOW TEMPERATURE FORMATION OF LUMINESCENT Si NANOCRYSTALS IN SiO~2 WITH RAPID THERMAL ANNEALS
FULLUY ION-IMPLANTED MESFET ON A BULK SEMI-INSULATING 4H-SiC SUBSTRATE
MIXING OF CONTAINER ELEMENTS DURING THE BAKING OF CLAY
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