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2005년
eng
0022-0248
1873-5002
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
347-353 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Investigation of residual dislocations in VGF-grown Si-doped GaAs
Process-induced transfer pattern in Si epitaxy using pocket susceptor