http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=O111286102
1989년
eng
0741-3106
1558-0563
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE Electron Device Letters
288-290 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0
상세조회0
다운로드
Enhanced transconductance in deep submicrometer MOSFET
Importance of source and drain resistance to the maximum f/sub T
The electron impact ionization rate and breakdown voltage in GaAs/Ga
Gate current injection initiated by electron band-to-band tunneling in MOS devices