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국문 초록 (Abstract)

HF용액내에서 양극 반응에 의해 형성된 다공질 실리콘층(PSL)의 특성을 조사하고 다공질 실리콘 산화막(OPS)의 형성 기구와 계면 특성을 규명하였다. SIMS분석을 통한 PSL의 밀도는 표면보다 PSL-S...

HF용액내에서 양극 반응에 의해 형성된 다공질 실리콘층(PSL)의 특성을 조사하고 다공질 실리콘 산화막(OPS)의 형성 기구와 계면 특성을 규명하였다. SIMS분석을 통한 PSL의 밀도는 표면보다 PSL-Si 계면이 높으며 산화 반응이 PSL의 표면 및 내부의 세공 표면에서 균일하게 이루어진다. OPS막은 열산화 Sio₂에 비해 큰 프랫밴드 전압과 고정 전하 밀도를 나타내며 dlts법으로 측정한 OPS막의 포획 단면적과 계면 상태 밀도는 각각 10?㎠와 10?-10?eV?의 범위이다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The properties of porous silicon layer(PSL) formed by anodic reaction in hydroffluoric acid solution have been studied. Ferther, the formation mechanism and interface characteristics of oxidized porous silicon(OPS) film are reported. It is shown from SIMS analysis that the porous silicon nera the surface has a lower density than that near the PSL-substrate interface and that oxidation is performed uniformly through PSL. OPS film shows higher flat-band voltage and fixed charge density than thermally grown SiO₂ film. The capture cross-section and the interface states density of OPS film determined by DLTS method are of the order of 10?㎠ and 10??-10??cm?eV?? respectively.