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We report on the ferromagnetic characteristics of homoepitaxial Mn(x)Si(1-x) (0.02≤x≤0.10) thin films grown on Si(100) substrates using laser molecular-beam epitaxy. The influence of Mn doping concentration on the structural and magnetic propertie...
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Room-Temperature Ferromagnetic Behavior of Homoepitaxial Mn-Doped Si Thin Films Grown by Laser Molecular-Beam Epitaxy
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- 저자
- 발행기관
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- 권호사항
-
발행연도
2005
-
작성언어
-
- 주제어
-
KDC
559.705
-
등재정보
SCIE,SCOPUS,KCI등재
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자료형태
학술저널
-
수록면
53-57(5쪽)
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다국어 초록 (Multilingual Abstract)
We report on the ferromagnetic characteristics of homoepitaxial Mn(x)Si(1-x) (0.02≤x≤0.10) thin films grown on Si(100) substrates using laser molecular-beam epitaxy. The influence of Mn doping concentration on the structural and magnetic properties of Mn-doped Si thin films was investigated in detail using both synchrotron-radiation x-ray diffraction and a superconducting quantum interference device magnetometer. With the addition of a Mn-Si-related secondary phase, Mn-doped Si thin films showed ferromagnetic behavior above room temperature.
We report on the ferromagnetic characteristics of homoepitaxial Mn(x)Si(1-x) (0.02≤x≤0.10) thin films grown on Si(100) substrates using laser molecular-beam epitaxy. The influence of Mn doping concentration on the structural and magnetic properties of Mn-doped Si thin films was investigated in detail using both synchrotron-radiation x-ray diffraction and a superconducting quantum interference device magnetometer. With the addition of a Mn-Si-related secondary phase, Mn-doped Si thin films showed ferromagnetic behavior above room temperature.
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