http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=O32837939
2002년
eng
0021-4922
1347-4065
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
L1288-L1290 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0
상세조회0
다운로드
One Transistor Ferroelectric Memory Devices with Improved Retention Characteristics
Fabrication and Characterization of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell with Local Interconnections
Formation of Reliable HfO~2/HfSi~xO~y Gate-Dielectric for Metal-Oxide-Semiconductor Devices