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2013년
eng
1995-0780
1995-0799
학술저널
NANOTECHNOLOGIES IN RUSSIA
191-198 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Formation and properties of ultrathin layers for fabrication of SOI MOS nanotransistor elements
Transient processes in resonant tunneling diode with allowance for electron-electron interaction