비정질 산화물 반도체의 더블게이트 구조를 적용한 고이동도 특성 = High mobility characteristics of amorphous oxide semiconductor with double-gate structure

국문 초록 (Abstract)

에치 스토퍼 구조로 비정질 IGZO 산화물 반도체 TFT를 제작하였다. 싱글게이트 구조일 때 약 7.7㎠/Vs 의 이동도를 보인 반면에, 더블게이트 구조로 제작하면 12.7㎠/Vs의 이동도를 나타내 이동도의 상승을 확인할 수 있었다. 더블게이트 구조에서의 이동도 향상 현상은 실제 캐리어(전자)의 이동도가 향상한 것이라기 보다는 탑게이트 바이어스에 의해 back-interface 부근에 채널이 형성되어 총 채널저항이 감소된 효과로 볼 수 있다. Vd-Id curve를 통해서, 두 구조 모두 current crowding 현상이나 Kink 현상 등이 보이지 않아, 양호한 오믹특성과 안정된 소자특성을 확인할 수 있었다.