균일침전법에 의한 $Ga_2O_3:Eu^{3+}$ 형광체의 제조 = Preparation of $Ga_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors by homogeneous precipitation

국문 초록 (Abstract)

$Ga_2O_3$ : $Eu^{3+}$ 형광체 분말을 균일침전법에 의해 제조하여 TG/DTA, XRD, FT-IR, SEM 등으로 특성을 분석하였다. 결정질 GaOOH 와 비정질에 가까운 $\gamma$-$Ga_2O_3$ 등 두 종류의 분말이 얻어졌다. 요소 농노가 0.5 M 이하에서는 입자는 막대모양을 이루고, 열처리에 따라 $\alpha$-$Ga_2O_3$을 거쳐서 $\beta$-$Ga_2O_3$상으로 변태하였다. 한편 나노미터 크기를 갖는 $\gamma$-$Ga_2O_3$분말은 1.0 M 이상의 요소 농도에서 생성되며, 직접 $\beta$-$Ga_2O_3$으로 전이하였다. 실온에서 광 발광 특성을 비교한 결과 마이크로미터 크기의 분말에 비해 나노미터 크기의 분말이 610 nm에서의 발광 강도가 더 크게 나타났다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Europium-activated $Ga_2O_3$ phosphor powders were prepared by homogeneous precipitation method. The resulting powders were characterized by means of TG/DTA, XRD, FT-IR and SEM, Two kinds of powders formed were the crystalline GaOOH and the amorphous-like $\gamma$-$Ga_2O_3$ phases. When the urea concentration was below 0,5 M, rod-like micrometer-sized GaOOH powders were formed. They were transformed via $\alpha$-$Ga_2O_3$ to $\beta$-$Ga_2O_3$ phases under heat treatment. On the other hand, the nanometer-sized $\gamma$-$Ga_2O_3$ powders were formed with urea concentrations higher than 1.0 M, and they were directly changed into $\beta$-$Ga_2O_3$.Photoluminescence (PL) spectra were observed at room temperature, and PL intensities of nanometer-sized $Ga_2O_3$ : $Eu^{3+}$ powders around 610 nm were higher than those of micrometer-sized ones.