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2008년
eng
0026-2714
1872-941X
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
MICROELECTRONICS RELIABILITY
514-525 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Investigation of hot carrier degradation in asymmetric nDeMOS transistors
Effects of Ti content and wet-N2 anneal on Ge MOS capacitors with HfTiO gate dielectric