구약성서의 핵심 부분을 차지하는 오경의 절대적 비중을 갖는 것 이 P문서이다. 그리고 P기자의 활동 시기와 신학사상의 내용들은 참부모의 탄생 및 참부모에 의하여 선포된 성약사상들과 ...
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1998
Korean
238.000
학술저널
73-101(29쪽)
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구약성서의 핵심 부분을 차지하는 오경의 절대적 비중을 갖는 것 이 P문서이다. 그리고 P기자의 활동 시기와 신학사상의 내용들은 참부모의 탄생 및 참부모에 의하여 선포된 성약사상들과 ...
구약성서의 핵심 부분을 차지하는 오경의 절대적 비중을 갖는 것 이 P문서이다. 그리고 P기자의 활동 시기와 신학사상의 내용들은 참부모의 탄생 및 참부모에 의하여 선포된 성약사상들과 매우 밀접한 유사성을 갖고 있다. 이에 필자는 주제에 따라서 두 사상을 비교해 보았다. 중요 주제는 하나님, 창조, 우주관, 천사, 3대축복, 인간, 안식, 족보. 숫자, 성(性), 축제 등이다. 또한 두 사상을 비교하는 방법으로는 신약성서 기자들이 구약성서를 해석하면서 사용하였던 '예언과 성취'라는 해석학적 기교를 근간으로 하였다. 이 고찰 결과 P문서의 내용들은 성약시대에 있을 여러 가지 사상과 사건들을 미리 선포한 것이었음을 알 수 있다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Nanosize Si-tip arrays with gated electrodes have been fabricated using the self-aligned method. In order to have a parallel electron beam (high perveance beam) toward the anode plate, we have designed a nanosize tip array with heights of the tip slig...
Nanosize Si-tip arrays with gated electrodes have been fabricated using the self-aligned method. In order to have a parallel electron beam (high perveance beam) toward the anode plate, we have designed a nanosize tip array with heights of the tip slightly less than that of a gate electrode. A high perveance beam is supposed to provide better focusing of the electron beams. Hence, it is important to have a high perveance electron beam for nanolithographic application. The fabricated procedures for nanoscale Si-tip array are reactive ion etching, sharpening, and oxidation followed by a 7:1 BHF oxide etch. The metal gate fabrication procedures are performed with self-aligned techniques using plasma oxide deposition, metal sputter deposition, and photoresist spin coating. The self-aligned methods allow for a controlling gate aperture less than 1.0 ㎛. The structure of the fabricated gated electron source was designed to have a 1.5 ㎛ gate aperture, a 1.5 ㎛ SiO₂ insulating layer, and a 0.3 ㎛ Mo volcano-type gate electrode. The Fowler-Nordheim and current-voltage characteristics of the fabricated tip arrays after seasoning the tip in a high vacuum chamber (<5×10□ Torr) were examined carefully and its turn-on voltage was found to be ∼25 V. The observed bright electron spots on the anode screen was measured to be ∼300 μA. The total area for the (300×300) Si-tip array was ∼1.5 ㎟. A charge coupled device camera photographed the bright area on the anode phosphor plate from electron bombardments and the size of electron bombardment spot was almost the same as the original tip array area (1.8 ㎟). In addition, we have also fabricated the gated Si-tip arrays with a focusing electrode for angular confinement of the electron beam emission and high perveance for the bears trajectory.
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