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      KCI등재

      고성능 PMOSFET을 위한 Ni-silicide와 p+ Source/drain 사이의 Barrier Height 감소 = Reduction of Barrier Height between Ni-silicide and p+ Source/drain for High Performance PMOSFET

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      https://www.riss.kr/link?id=A101053252

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper, barrier height between Ni-silicide and source/drain is reduced utilizing Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. It is shown that the barrier height is decreased by Pd incorporation and is dependent on the Pd thic...

      In this paper, barrier height between Ni-silicide and source/drain is reduced utilizing Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. It is shown that the barrier height is decreased by Pd incorporation and is dependent on the Pd thickness. Therefore, Ni-silicide using the Pd stacked structure is promising for high performance nano-cale PMOSFET.

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      참고문헌 (Reference)

      1 M. Sinha, "Tuning the schottky barrier height of nickel silicide on p-silicon by aluminum segregation" 92 : 222114-, 2008

      2 Zhun Zhong, "Study of Thermal Stability of Ni Silicide using Ni-V Alloy" 한국전기전자재료학회 9 (9): 47-51, 2008

      3 S. P. Murarka, "Self-aligned silicides or metals for very large integrated circuit applications" B4 : 1325-, 1986

      4 G. P. Lousberg, "Schottky barrier height lowering by an increase of the substrate doping in PtSi Schottky barrier source/drain FETs" 28 (28): 123-, 2007

      5 J. M. Larson, "Overview and status of metal S/D Schottky-barrier MOSFET technology" 53 : 1048-, 2006

      6 K. Goto, "Optimization of salicide process for sub 0.1um CMOS device" 119-, 1994

      7 황빈봉, "Nano-scale CMOS를 위한 Ni-germano Silicide의 열 안정성 연구" 한국전기전자재료학회 17 (17): 1149-1155, 2004

      8 K. N. Tu, "Low schottky barrier of rare-earth silicide on n-Si" 38 (38): 626-, 1981

      9 H. S. Wong, "Low schottky barrier height for silicides on n-type Si(100)by interfacial selenium segregation during silicidation" 93 : 072103-, 2008

      10 J. G. Yun, "Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TiN tri-layer" 26 (26): 90-, 2005

      1 M. Sinha, "Tuning the schottky barrier height of nickel silicide on p-silicon by aluminum segregation" 92 : 222114-, 2008

      2 Zhun Zhong, "Study of Thermal Stability of Ni Silicide using Ni-V Alloy" 한국전기전자재료학회 9 (9): 47-51, 2008

      3 S. P. Murarka, "Self-aligned silicides or metals for very large integrated circuit applications" B4 : 1325-, 1986

      4 G. P. Lousberg, "Schottky barrier height lowering by an increase of the substrate doping in PtSi Schottky barrier source/drain FETs" 28 (28): 123-, 2007

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      9 H. S. Wong, "Low schottky barrier height for silicides on n-type Si(100)by interfacial selenium segregation during silicidation" 93 : 072103-, 2008

      10 J. G. Yun, "Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TiN tri-layer" 26 (26): 90-, 2005

      11 H. S. Wong, "Effective schottky barrier height reduction using Sulfur or Selenium at the NiSi/n-Si(100)interface for low resistance contacts" 28 (28): -1102, 2007

      12 M. Jang, "Characterization of erbium-silicided schottky diode junction" 26 : 354-, 2005

      13 T. Shibata, "An optimally designed process for submicron MOSFETs" 647-, 1981

      14 T. Morimoto, "A NiSi salicide technology for advanced logic device" 653-, 1991

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      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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