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      용액 공정으로 만든 Cu(In,Ga)S₂ 박막태양전지의 전기적 특성

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      https://www.riss.kr/link?id=A101086797

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We investigated current-voltage (I-V) and capacitance (C)-V characteristics of solution-processed thin film solar cells, consisting of Cu(In,Ga)S₂ and CuInS₂ stacked absorber layers. The ideality factors, extracted from the temperature-dependent I...

      We investigated current-voltage (I-V) and capacitance (C)-V characteristics of solution-processed thin film solar cells, consisting of Cu(In,Ga)S₂ and CuInS₂ stacked absorber layers. The ideality factors, extracted from the temperature-dependent I-V curves, showed that the tunneling-mediated interface recombination was dominant in the cells. Rapid increase of both series- and shuntresistance at low temperatures would limit the performance of the cells, requiring further optimization. The C-V data revealed that the carrier concentration of the CuInS₂ layer was about 10 times larger than that of the Cu(In,Ga)S₂ layer. All these results could help us to find strategies to improve the efficiency of the solution-processed thin film solar cells.

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      목차 (Table of Contents)

      • ABSTRACT
      • 1. 서론
      • 2. 실험 방법
      • 3. 결과 및 토의
      • 4. 결론
      • ABSTRACT
      • 1. 서론
      • 2. 실험 방법
      • 3. 결과 및 토의
      • 4. 결론
      • References
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