Bi₂(MoO₄)₃단결정 b-plane의 Chemical Etching에 관한 연구 = Chemical Etching on b-plane ofBi₂(MoO₄)₃Single Crystals

국문 초록 (Abstract)

Bi₂(Mo0₄)₃단결정을 질산과 불산을 혼합한 부식액들을 사용하여 온도와 시간을 달리하여 부식시켰다. Bi₂(Mo0₄)₃단결정의 b-plane에는 HF:HNO₃= 1:2인 부식액이 적합하였다. Et-ch pattern 들을 근거로 하여 Bi₂(Mo0₄)₃)의 결정구조를 논의하였고, 이 결정 b-plane의 vickers 경도값은 333kg·f/mm²이었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

B₂(Mo0₄)₃single crystals were etched at various temperatures and times using the etchants which are consisted of HNO₃and HF. The etchant, HF:HNO₃=1:2, is reliable solution in producing etch pits on b-plane of Bi₂(Mo0₄)₃ single crystals. The crystal structure is discussed on the basis if etch patterns. The Vickers hardness of b-plane of Bi₂(Mo0₄)₃single crystals is 333kg·f/mm²

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ.서론 = 29
• Ⅱ.실험방법 = 29
• 1) 시료준비 = 29
• 2) Chemical Etching = 29
• 3) 표면관찰 = 30
• 4) 경도측정 = 30
• Ⅲ.실험결과 및 논의 = 30
• 1) Bi_(2)(MoO_(4)_(3) 단결정의 b-plane etch pattern = 30
• 2) Etch pattern과 결정구조 = 33
• 3) b-plane의 경도 = 34
• Ⅳ 결론 = 34
• 참고문헌 = 35