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2002년
eng
0018-9383
1557-9646
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
1657-1664 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Avalanche Phenomena in 4H-SiC p-n Diodes Fabricated by Aluminum or Boron Implantation
A Universal Ion Implantation Model for All Species Into Single-Crystal Silicon