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      SCOPUS

      Comparison of SiO~2 and AIN as Gate Dielectric for SiC MOS Structures

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      https://www.riss.kr/link?id=O40296948

      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        1998년

      • 작성언어

        eng

      • 주제어
      • Print ISSN

        0255-5476

      • Online ISSN

        1662-9752

      • 등재정보

        SCOPUS

      • 자료형태

        학술저널

      • 원정보자원

        MATERIALS SCIENCE FORUM

      • 수록면

        877-880   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

      • 국제 표준도서번호

        0878497900; 0878497919; 0878497927

      • 회의자료명

        Silicon carbide, III-nitrides and related materials

      • 회의명

        International conference; 7th

      • 회의장소

        Stockholm

      • 회의날짜

        1997; Sep

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