http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=O48562639
2007년
eng
1938-5862
1938-6737
학술저널
ECS TRANSACTIONS
299-310 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
9781566775700
Physics and technology of high-k gate dielectrics
International symposium; 5th
Washington, DC
2007; Oct
0
상세조회0
다운로드
Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON in Metal Gate Devices
Scaling Down of MOCVD HfSiON to 1nm EOT
The Approach for Direct Stacking of High-k Dielectrics on Si