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https://www.riss.kr/link?id=O40459954
1994년
eng
1058-4587
1607-8489
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
INTEGRATED FERROELECTRICS
281-288 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Integrated ferroelectrics
6th International symposium
Monterey; CA
1994; Mar
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256Kb Ferroelectric Nonvolatile Memory Technology for 1T/1C Cell With 100ns Read/Write Time at 3V
Ferroelectric Gate Transistors
Study on Ferroelectric Thin Films for Application to NDRO Non-Volatile Memories
Preparation of Bi~4Ti~3O~1~2 Films by MOCVD and Their Application to Memory Devices