MOCVD 법에 의한 ZnO:Zn 형광박막 제조공정 = A Manufacturing Process of ZnO:Zn Thin-Film Phospher by MOCVD Methods

국문 초록 (Abstract)

MOCVD법을 이용하여 전계 방출 디스플래이(FED)의 음극판으로 사용될 ZnO:Zn 박막 형광체를 제조하였다. 실험을 통하여 온도 및 압력. 희석가스 및 운반가스, 그리고 source의 량등을 변화시켜서 그에 따른 영향을 관찰하였다 XRD로 막의 결정성을 분석하였으며. SEM을 통해 박막의 입자크기를 조사하였고, 저항성을 산출하기 위하여 CL을 통하여 cathodoluminescence를 측정하였다. 그 결과 ZnO 박막이 최대의 X선 회절 피크를 보였지만 가장 낮은 CL 강도를 보였다. 또한 결정립의 크기가 분말에 비하여 작았는데, 이로 인하여 좋은 발광을 내기에는 표면적이 부족한 것으로 관측된다. 저압 MOCVD 반응기에서 박막의 두께는 면저항과 CL 강도에 영향을 주는 것으로 나타났다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

This study focuses on the MOCVD method in order to investigate the manufacturing process of ZnO:Zn thin-film phosphor. which is to be used as an anode Plate in a Field Emission Display. In the present experiment, effects of temperature. Pressure. the amounts of dilution, and carrier gases on the properties of phosphor nim have been analyzed. While crystallinity and grain size of a film were analyzed from XRD and SEM. respectively. cathodoluminescence was measured by CL for the Purpose of resistivity calculation. The maximum peak of XRD was found in the ZnO thin film. however, it has the lowest CL intensity. The thing that grain size of a film was smaller than that of powder, which is considered as the reason of the poor luminescence. And. it is observed that the thickness of a thin film affects the sheet resistance and the CL intensity in the low pressure MOCVD reactor.