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이온성 첨가제 도입을 통한 고이동도 고분자 반도체 특성 구현과 유기전계효과트랜지스터 및 유연전자회로 응용 연구
이동현, 문지훈,박준구,정지윤,조일영,김동은,백강준,Lee, Dong-Hyeon,Moon, Ji-Hoon,Park, Jun-Gu,Jung, Ji Yun,Cho, Il-Young,Kim, Dong Eun,Baeg, Kang-Jun 한국전기전자재료학회 2018 p.129-134
수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화
이형규, 이기성,Lee, Hyung Gyoo,Lee, Gisung 한국전기전자재료학회 2018 p.135-140
수 원자층 두께의 MoS2 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화
이형규, 이기성 한국전기전자재료학회 2018 p.135-140
n-InGaAs MOSFETs을 위한 Pd 중간층을 이용한 Ni-InGaAs의 열 안정성 개선
이맹, 신건호,이정찬,오정우,이희덕,Li, Meng,Shin, Geonho,Lee, Jeongchan,Oh, Jungwoo,Lee, Hi-Deok 한국전기전자재료학회 2018 p.141-145
초음파 절삭기 핸드피스부 제작 및 변위 특성 시뮬레이션
김승원, 류주현,이지영,Kim, Seung-Won,Yoo, Ju-Hyun,Lee, Jie-Young 한국전기전자재료학회 2018 p.152-155
유도결합플라즈마 표면 처리 및 SnO2 증착에 따른 폴리카보네이트 특성 연구
엄태영, 최동혁,손동일,엄태용,김대일,Eom, Tae-Young,Choi, Dong-Hyuk,Son, Dong-Il,Eom, Tae-Yong,Kim, Daeil 한국전기전자재료학회 2018 p.156-159
김광택, 이상원,김동근,최누리,이종력,백세종,Kim, Kwang Taek,Lee, Sang Won,Kim, Dong Geun,Choi, Nu Ri,Lee, Jong Ryeok,Baik, Se Jong 한국전기전자재료학회 2018 p.160-164
이상은, 이경남,예상철,이성호,김준동,Lee, Sang-eun,Lee, Gyeong-Nam,Ye, Sang-cheol,Lee, Sung-ho,Kim, Joondong 한국전기전자재료학회 2018 p.165-170