ICBD법으로 증착된 Al 박막의 증착특성 연구 = A study on the deposition characteristics of the hi thin films deposited ionized cluster beam deposition

국문 초록 (Abstract)

Ionized Cluster Beam Deposition(ICBD)방법을 이용하여 Si(100)기판과 TiN(60 nm)/Si(100)기판위에 Al 박막을 증착하였다. 증착된 Al 박막의 증착특성은 $\alpha$-step, four-point-probe, XRD, SEM, AES 측정장치를 가지고 조사해 보았다. 도가니 온도가 증가함에 따라 Al 박막의 증착속도는 증가하였고 비저항 값은 감소하였다. 도가니 온도가 $1800^{\circ}C$인 경우 가속전압이 증가함에 따라 연속적이며 평평한 박막이 형성되고 비저항이 감소되었다. 최소의 비저항 값은 Si 기판에서는 가속전압이 4 kV일 때 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, TiN 기판에서는 가속전압이 2kV일 때 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$. AES 분석결과 형성된 박막내에서는 불순물이 존재하지 않는 것을 알 수 있었다. 따라서 Al 박막의 비저항은 박막충의 미세구조에 의해 영향을 받는다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Aluminum (Al) thin films were deposited on the Si(100) and TiN(60 nm)/Si (100) substrate by the ionized cluster beam deposition (ICBD) method. The characteristics of thin films were examined by the $\alpha$-step, four-point-probe, Scanning Electron Spectroscopy (SEM), Auger Electron Spectroscopy (AES). The growth rate of the Al thin film increased and the resistivity decreased as the crucible temperature increased. At the crucible temperature $1800^{\circ}C$, the microstructure of Al thin film deposited was smooth and continuous the resistivity decreased as the acceleration voltage increased. Also, the minimum resistivity in Si(100) substrate and TiN(60 nm)/Si(100) substrate were 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$ at the acceleration voltage 4 kV and 2 kV respectively. From the AES spectrumt 14 wasn't detected any impurities In the Al thin film. Therefore the resistivity of Al thin film was affected by the microstructure of film.