0.1 ㎛ Metamorphic HEMT를 이용한 고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발 = Development of a Two-Stage High Gain D-Band MMIC Drive Amplifier Using 0.1 ㎛ Metamorphic HEMT Technology

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 ㎓) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 ㎓에서 10 ㏈ 이상의 우수한 S21 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 S11 -3.5 ㏈와 S22 -6.5 ㏈로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 0.1 ㎛ MHEMT는 760 mS/㎜의 전달컨덕턴스 특성과 195 ㎓의 차단주파수 391 ㎓의 최대공진 주파수 특성을 갖는다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We report a high gain D-band(110 - 140 ㎓) MMIC drive amplifier based on 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT technology. The amplifier shows an excellent S21 gain characteristic greater than 10 ㏈ in a millimeterwave frequency of 110 ㎓, Also the amplifier has good reflection characteristics of a S11 of -3.5 ㏈ and a S22 of -6.5 ㏈ at 110 ㎓, respectively. The high performances of the MMIC drive amplifier is mainly attributed to the characteristics of the MHEMTs exhibiting a maximum transconductance of 760 mS/㎜, a current gain cut-off frequency of 195 ㎓ and a maximum oscillation frequency of 391 ㎓.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. 본론
• Ⅲ. 실험
• Ⅳ. 결론
• 참고문헌
• 저자소개