1 K. Irikura, 87 : 13-, 2018
2 T. Yoshikawa, 150 : G465-, 2003
3 Z. F. Xia, 187 : 25-, 2017
4 S. Karabanov, 150 : 2-, 2018
5 S. Shi, 96 : 53-, 2019
6 S. Shi, 266 : 344-, 2013
7 F. A. Trumbore, 39 : 205-, 1960
8 G. V. Voort, 15 : 60-, 2009
9 L. Hu, 44 : 828-, 2013
10 T. Yoshikawa, 36 : 731-, 2005
1 K. Irikura, 87 : 13-, 2018
2 T. Yoshikawa, 150 : G465-, 2003
3 Z. F. Xia, 187 : 25-, 2017
4 S. Karabanov, 150 : 2-, 2018
5 S. Shi, 96 : 53-, 2019
6 S. Shi, 266 : 344-, 2013
7 F. A. Trumbore, 39 : 205-, 1960
8 G. V. Voort, 15 : 60-, 2009
9 L. Hu, 44 : 828-, 2013
10 T. Yoshikawa, 36 : 731-, 2005
11 T. Yoshikawa, 311 : 776-, 2009
12 T. Yoshikawa, 4 : 531-, 2003
13 K. Tang, 50 : 1978-, 2009
14 L. X. Zhao, 21 : 1185-, 2011
15 I. Obinata, "The 871st Report of the Research Institute for Iron" 118 : 1957
16 Shaghayegh Esfahani, "Purification of Metallurgical Silicon using Iron as an Impurity Getter Part I: Growth and Separation of Si" 대한금속·재료학회 17 (17): 823-829, 2011
17 Shaghayegh Esfahani, "Purification of Metallurgical Silicon Using Iron as Impurity Getter, Part II: Extent of Silicon Purification" 대한금속·재료학회 17 (17): 1009-1015, 2011