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Caldara, M.; Mastronuzzi, G.; Palmentola, G.; Sanso, P.; Tuccimei, P.; Vesica, P. L. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.ii
Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy
Yamauchi, S.; Goto, Y.; Hariu, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.1-6
Temperature influence on the growth of gallium nitride by HVPE in a mixed H
A. Trassoudaine; R. Cadoret; E. Gil-Lafon North-Holland Pub. Co 2004 p.7-12
Temperature influence on the growth of gallium nitride by HVPE in a mixed H2/N2 carrier gas
Trassoudaine, A.; Cadoret, R.; Gil-Lafon, E. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.7-12
Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface
Huang, J. S.; Chen, Z.; Luo, X. D.; Xu, Z. Y.; Ge, W. K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.13-17
Size- and shape-controlled GaAs nano-whiskers grown by MOVPE: a growth study
Borgstrom, M.; Deppert, K.; Samuelson, L.; Seifert, W. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.18-22
Effects of V/III ratio on InGaAs and InP grown at low temperature by LP-MOCVD
Jiang, L.; Lin, T.; Wei, X.; Wang, G. H.; Zhang, G. Z.; Zhang, H. B.; Ma, X. Y. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.23-27
Three-dimensional oscillatory flow in a thin annular pool of silicon melt
Li, Y. R.; Imaishi, N.; Azami, T.; Hibiya, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.28-42
On the chloride vapor-phase epitaxy growth of GaN and its characterization
Varadarajan, E.; Puviarasu, P.; Kumar, J.; Dhanasekaran, R. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 p.43-49
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