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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      비냉각 적외선 감지소자 응용을 위한 V₂O？ 박막의 전기적 특성 = Electrical Properties of V₂O？ Thin Films for the uncooled Infrared Detector

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The V₂O？ thin films deposited on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon t...

      The V₂O？ thin films deposited on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the V₂O？ thin films annealed at 300t were 37.7, with a dielectric loss of 2.535, respectively. Also, the TCR values of the V₂O？ thin films annealed at 300t were about -2.65%/K.

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