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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Influence of the Buried p-Layer on the Blocking behavior of Vertical JFETs in 4H-SiC

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      https://www.riss.kr/link?id=O37652935

      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        2001년

      • 작성언어

        eng

      • 주제어
      • Print ISSN

        0255-5476

      • Online ISSN

        1662-9752

      • 등재정보

        SCOPUS

      • 자료형태

        학술저널

      • 원정보자원

        MATRIALS SCIENCE FORUM

      • 수록면

        695-698   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

      • 국제 표준도서번호

        0878498737

      • 회의자료명

        European conference on silicon carbide and related materials

      • 회의명

        3rd

      • 회의장소

        Kloster Banz, Germany

      • 회의날짜

        2000; Sep

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