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Peng Zhang ; Fuhai Su ; Xuliang Chen ; Shile Zhang ; Hongying Mei ; Zhaorong Yang ; Jianming Dai ; Li Pi
2016년
eng
1882-0778
1882-0786
SCOPUS;SCIE
학술저널
Applied Physics Express
102401 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Erratum: "Franz–Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage"
Demonstration of electron beam excitation laser using a GaInN-based multiquantum well active layer
Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN