0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력증폭기

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2～9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

This paper describes the successful development and the performance of X-band 50 W pulsed power amplifier using a 50 W GaN-on-SiC high electron mobility transistor. The GaN HEMT with a gate length of 0.25 μm and a total gate width of 12 mm were fabricated. The X-band pulsed power amplifier exhibited an output power of 50 W with a power gain of 6 dB in a frequency range of 9.2～9.5 GHz. It also shows a maximum output power density of 4.16 W/mm. This 50 W GaN HEMT and X-band 50 W pulsed power amplifier are suitable for the radar systems and related applications in X-band.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. GaN HEMT 소자 제작 공정 및 특성
• Ⅲ. 50 W 전력증폭기 설계 및 제작
• Ⅳ. 결론
• References

참고문헌 (Reference)

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