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Gate Length Scaling in High Performance InGaP/InGaAs/GaAs PHEMT's
Fay, P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.141-143
Gate length scaling in high performance InGaP/InGaAs/GaAs PHEMT's
Fay, P.;Elliot, J.;Stevens, K.;Pan, N. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.141-143
Manufacturable GaAs VFET for Power Switching Applications
Eisenbeiser, K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.144-145
Manufacturable GaAs VFET for power switching applications
Eisenbeiser, Kurt;Huang, Jenn Hwa;Salih, Ali;Hadizad, Peyman;Pitts, Bobby Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.144-145
Su, Y. K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.146-148
Su, Yan Kuin;Chang, Jia Rong;Lu, Yan Ten;Lin, Chuing Liang;Wu, Kuo Ming;Wu, Zheng, Xian Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.146-148
Monte Carlo Study of the Dynamic Breakdown Effects in HEMT's
Di Carlo, A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.149-151
Monte Carlo study of the dynamic breakdown effects in HEMT's
Di Carlo, Aldo;Carlo, Aldo Di;Rossi, Lorenzo;Lugli, Paolo;Zandler, Gu@nther;Meneghesso, Gaudenzio;Jackson, Mike;Zanoni, Enrico Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.149-151
(A)novel method for a smooth interface at poly-SiOx/SiO₂ by employing selective etching
Jeon, Jae Hong;Yoo, John Suk;Park, Cheol Min;Choi, Hong Seok;Han, Min Koo Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.152-154
A Novel Method for a Smooth Interface at Poly-SiO~x/SiO~2 by Employing Selective Etching
Jeon, J. H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2000 p.152-154
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
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