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Rectifier Characteristics Based on Bipolar-Mode SIT Operation
Yano, K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.321
Rectifier characteristics based on bipolar-mode SIT operation
Yano, Koji;Mitsui, Masahito;Moroshima, Heiji;Morita, Junichi;Kasuga, Masanobu;Shimizu, Azuma Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.321-323
2.9 V Operation GaAs Power MESFET with 31.5-dBm Output Power and 64% Power-Added Efficiency
Lee, J. L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.324
2.9 V operation GaAs power MESFET with 31.5-㏈m output power and 64% power-added efficiency
Lee, Jong Lam;Kim, Hae Cheon;Mun, Jae Kyoung;Lee, Hae Gwon;Park, Hyung Moo Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.324-326
Carrier Recombination Influence on the SOIMOSFET Floating Body Effect
Koh, R. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.327
Carrier recombination influence on the SOIMOSFET floating body effect
Koh, R.;Magami, T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.327-329
(An)improved inverted δ-doped GaAs/InGaAs pseudomorphic heterostructure grown by MOCVD
Wu, Chang Luen;Hsu, Wei Chou;Shieh, Hir Ming;Tsai, Ming Shang Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.330-332
An Improved Inverted �Doped GaAs/InGaAs Pseudomorphic Heterostructure Grown by MOCVD
Wu, C.-L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.330
Lai, J.-T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.333
Lai, Jiun Tsuen;Lee, Joseph Ya Min Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 p.333-335
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
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