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Zhang, Q.; Yin, H.; Meng, L.; Yao, J.; Li, J.; Wang, G.; Li, Y.; Wu, Z.; Xiong, W.; Yang, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.464-467
Liu, T.-H.; Chiu, P.-Y.; Chuang, Y.; Liu, C.-Y.; Shen, C.-H.; Luo, G.-L.; Li, J.-Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.468-471
L~g = 30 nm InAs Channel MOSFETs Exhibiting f~m~a~x = 410 GHz and f~t = 357 GHz
Wu, J.; Fang, Y.; Markman, B.; Tseng, H.-Y.; Rodwell, M. J. W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.472-475
Excess Off-State Current in InGaAs FinFETs
Zhao, X.; Vardi, A.; del Alamo, J. A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.476-479
Insight Into the Mechanism of Tail Bits in Data Retention of Vacancy-Modulated Conductive Oxide RRAM
Koh, S.-G.; Kurihara, K.; Belmonte, A.; Popovici, M. I.; Donadio, G. L.; Goux, L.; Kar, G. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.480-483
PCMO RRAM for Integrate-and-Fire Neuron in Spiking Neural Networks
Lashkare, S.; Chouhan, S.; Chavan, T.; Bhat, A.; Kumbhare, P.; Ganguly, U. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.484-487
Complementary Resistive Switching Observed in Graphene Oxide-Based Memory Device
Shi, K.; Wang, Z.; Xu, H.; Xu, Z.; Zhang, X.; Zhao, X.; Liu, W.; Yang, G.; Liu, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.488-491
Short-Term and Long-Term Plasticity Mimicked in Low-Voltage Ag/GeSe
Sun, Y.; Xu, H.; Liu, S.; Song, B.; Liu, H.; Liu, Q.; Li, Q. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.492-495
Dual-Layer Selector With Excellent Performance for Cross-Point Memory Applications
Lin, Q.; Li, Y.; Xu, M.; Cheng, Q.; Qian, H.; Feng, J.; Tong, H.; Miao, X. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.496-499
Gate Controlled Three-Terminal Metal Oxide Memristor
Herrmann, E.; Rush, A.; Bailey, T.; Jha, R. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 p.500-503
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