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IEEE Electron Device Letters publication information
unknown IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.C2
Changes to the Editorial Board
Liu, T. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.527
Changes to the Editorial Board
Liu, T. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.528
Changes to the Editorial Board
Liu, T. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.529
FinFETs With a Deep Buried Channel to Reduce the Readout Noise in CMOS Image Sensors
Ryu, J. T.; Jeon, S. B.; Koh, H. S.; Kim, T. W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.530-532
High Gamma Value 3D-Stackable HK/MG-Stacked Tri-Gate Nanowire Poly-Si FETs With Embedded Source
Yang, C.; Huang, W.; Hsieh, T.; Wu, T.; Wang, H.; Shen, C.; Yeh, W.; Shiu, J.; Chen, Y.; Wu, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.533-536
A Modified 1/ $f$ Noise Model for MOSFETs With Ultra-Thin Gate Oxide
Wang, L.; Peng, W.; Jiang, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.537-540
Hur, J.; Lee, B.; Kang, M.; Ahn, D.; Bang, T.; Jeon, S.; Choi, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.541-544
Impact of Surface Passivation on the Dynamic ON-Resistance of Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Koehler, A. D.; Anderson, T. J.; Tadjer, M. J.; Weaver, B. D.; Greenlee, J. D.; Shahin, D. I.; Hobart, K. D.; Kub, F. J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 p.545-548
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
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