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Plasma Charging Damage on Ultrathin Gate Oxides
Park, D. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.1-3
Plasma charging damage on ultrathin gate oxides
Park, Dong Gun;Hu, Chenming Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.1-3
Laser Energy Limitation for Buried Metal Cuts
Bernstein, J. B. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.4-6
Laser energy limitation for buried metal cuts
Bernstein, Joseph B.;Hua, Yijia;Zhang, Wei Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.4-6
RTD/HFET Low Standby Power SRAM Gain Cell
Van der Wagt, J. P. A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.7-9
RTD/HFET low standby power SRAM gain cell
Van Der Wagt, J. P. A.;Seabaugh, A. C.;Beam, E. A. Ⅲ;Wagt, J. P. A. Van Der Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.7-9
Xu, D. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.10-12
Xu, Dong;Enoki, Takatomo;Ishii, Yasunobu Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.10-12
(A)deep submicron Si₁-xGex/Si vertical PMOSFET fabricated by Ge ion implantation
Liu, K. C.;Ray, S. K.;Oswal, S. K.;Banerjee, S. K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.13-15
A Deep Submicron Si~1~-~xGe~x/Si Vertical PMOSFET Fabricated by Ge Ion Implantation
Liu, K. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 p.13-15
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