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Chiu, H.-C.; Chiang, Y.-C.; Wu, C.-S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.701-703
Mechanism of Current Collapse Removal in Field-Plated Nitride HFETs
Koudymov, A.; Adivarahan, V.; Yang, J.; Simin, G.; Khan, M. A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.704-706
High Switching Performance 0.1-mum Metamorphic HEMTs for Low Conversion Loss 94-GHz Resistive Mixers
An, D.; Lee, B.-H.; Lim, B.-O.; Lee, M.-K.; Kim, S.-C.; Oh, J.-H.; Kim, S.-D.; Park, H.-M.; Shin, D.-H.; Rhee, J.-K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.707-709
Transient Pulsed Analysis on GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures
Lin, C.-H.; Wang, W.-K.; Lin, P.-C.; Lin, C.-K.; Chang, Y.-J.; Chan, Y.-J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.710-712
High Mobility NMOSFET Structure With High-kappa Dielectric
Passlack, M.; Droopad, R.; Rajagopalan, K.; Abrokwah, J.; Gregory, R.; Nguyen, D. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.713-715
Direct Extraction of Mobility in Pentacene OFETs Using C-V and I-V Measurements
Ryu, K.; Kymissis, I.; Bulovic, V.; Sodini, C. G. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.716-718
Resistance Switching of the Nonstoichiometric Zirconium Oxide for Nonvolatile Memory Applications
Lee, D.; Choi, H.; Sim, H.; Choi, D.; Hwang, H.; Lee, M.-J.; Seo, S.-A.; Yoo, I. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.719-721
Torii, K.; Kawahara, T.; Shiraishi, K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.722-724
Park, H.; Rahman, M. S.; Chang, M.; Lee, B. H.; Choi, R.; Young, C. D.; Hwang, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.725-727
Very High-Density (23 fF/mum^2) RF MIM Capacitors Using high-kappa TaTiO as the Dielectric
Chiang, K. C.; Lai, C. H.; Chin, A.; Wang, T. J.; Chiu, H. F.; Chen, J.-R.; McAlister, S. P.; Chi, C. C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.728-730
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