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(A)novel 0.1 ㎛ MOSFET structure with inverted sidewall and recessed channel
Lyu, Jeong Ho;Park, Byung Gook;Chun, Kuk Jin;Lee, Jong Duk Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.157-159
Low temperature poly-Si thin-film transistor fabrication by metal-induced lateral crystallization
Lee, Seok Woon;Joo, Seung Ki Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.160-162
Measurement of a cross-section for single-event gate rupture in power MOSFET's
Mouret, I.;Calvel, P.;Allenspach, M.;Titus, J. L.;Wheatley, C. F.;LaBel, K. A.;Calvet, M. C.;Schrimpf, R. D.;Galloway, K. F. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.163-165
Demonstration of npn InAs bipolar transistors with inverted base doping
Dodd, Paul E.;Lovejoy, Michael L.;Lunstrom, Mark S.;Melloch, Michael R.;Woodall, Jerry M.;Pettit, David Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.166-168
Stability of N-channel polysilicon thin-film transistors with ECR plasma thermal gate oxide
Lee, Jung Yeal;Han, Chul Hi;Kim, Choong Ki Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.169-171
Lu, Wei Shin;Hwu, Jenn Gwo Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.172-174
Improvement of breakdown voltage in SOI n-MOSFET's using the gate-recessed (GR) structure
Choi, Jin Hyeok;Park, Young June;Min, Hong Shick Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.175-177
Correlation between inversion layer mobility and surface roughness measured by AFM
yamanaka, Toshiaki;Fang, Simon J.;Lin, Heng Chih;Snyder, P.;Helms, C. Robert Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.178-180
Gate length effect on the RTS noise amplitude in SOI MOSFET's
Simoen, E.;Claeys, C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.181-183
Alam, Muhammad A.;Schro@ter, Michael;Lundstrom, Mark S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1996 p.184-186
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