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Metamorphic Heterostructure InP/GaAsSb
Zhou, W.; Tang, C. W.; Zhu, J.; Lau, K. M.; Zeng, Y.; Liu, H. G.; Tao, N. G.; Bolognesi, C. R. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.539-542
Improved Stability of High-Performance ZnO/ZnMgO Hetero-MISFETs
Sasa, S.; Hayafuji, T.; Kawasaki, M.; Koike, K.; Yano, M.; Inoue, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.543-545
50-nm T-Gate InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMTs With Low Noise and High f~t~a~u Characteristics
Lim, B. O.; Lee, M. K.; Baek, T. J.; Han, M.; Kim, S. C.; Rhee, J.-K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.546-548
AlGaN/GaN HEMTs With Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation
Mizutani, T.; Ito, M.; Kishimoto, S.; Nakamura, F. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.549-551
Design and Fabrication of Elastic Interconnections for Stretchable Electronic Circuits
Brosteaux, D.; Axisa, F.; Gonzalez, M.; Vanfleteren, J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.552-554
Characteristics of Ni/Gd FUSI for NMOS Gate Electrode Applications
Lee, B.; Biswas, N.; Novak, S. R.; Misra, V. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.555-557
Singh, N.; Fang, W. W.; Rustagi, S. C.; Budharaju, K. D.; Teo, S. H. G.; Mohanraj, S.; Lo, G. Q.; Balasubramanian, N.; Kwong, D.-L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.558-561
Ar Annealing for Suppression of Gate Oxide Thinning at Shallow Trench Isolation Edge
Ohashi, T.; Kubota, T.; Nakajima, A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.562-564
Zhang, Z.; Qiu, Z.; Liu, R.; Ostling, M.; Zhang, S.-L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.565-568
Carrier Transport Mechanism in a Nanoparticle-Incorporated Organic Bistable Memory Device
Lin, H.-T.; Pei, Z.; Chan, Y.-J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 p.569-571
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