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이 학술지의 논문 검색
Tao, J.;Young, K. K.;Pico, C. A.;Cheung, N. W.Hu, C. IEEE 1991 p.646-648
Dependence of electron channel mobility on Si-SiO/sub 2
Ohmi, T.;Kotani, K.;Teramoto, A.Miyashita, M. IEEE 1991 p.652-654
A new model of switching operation in fully depleted ultrathin-film CMOS/SIMOX
Omura, Y.Izumi, K. IEEE 1991 p.655-657
Role of electron traps in the radiation hardness of thermally nitrided silicon dioxide
Ramesh, K.;Agarwal, A.;Chandorkar, A. N.Vasi, J. IEEE 1991 p.658-660
Prinz, E. J.Sturm, J. C. IEEE 1991 p.661-663
Series resistance of devices with submicrometer source/drain areas
Lee, V. V.;Biellak, S. A.;Cho, J. S.Wong, S. S. IEEE 1991 p.664-666
High-frequency performance of submicrometer channel-length silicon MOSFETs
Raynaud, C.;Gautier, J.;Guegan, G.;Lerme, M.;Playez, E.Dambrine, G. IEEE 1991 p.667-669
Electrical transport properties of crystalline silicon carbide/silicon heterojunctions
Chaudhry, M. I. IEEE 1991 p.670-672
Comparison of shallow trench and LOCOS isolation for hot-carrier resistance
Doyle, B. S.;Connor, R. S. O';Mistry, K. R.Grula, G. J. IEEE 1991 p.673-675
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