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Changes to the Editorial Board
Liu, T. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.4
A Dopingless FET With Metal–Insulator–Semiconductor Contacts
Kao, K.; Chen, L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.5-8
Limitations on Lateral Nanowire Scaling Beyond 7-nm Node
Das, U. K.; Garcia Bardon, M.; Jang, D.; Eneman, G.; Schuddinck, P.; Yakimets, D.; Raghavan, P.; Groeseneken, G. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.9-11
Operation of SiGe HBTs Down to 70 mK
Ying, H.; Wier, B. R.; Dark, J.; Lourenco, N. E.; Ge, L.; Omprakash, A. P.; Mourigal, M.; Davidovic, D.; Cressler, J. D. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.12-15
FinFET With Encased Air-Gap Spacers for High-Performance and Low-Energy Circuits
Sachid, A. B.; Huang, Y.; Chen, Y.; Chen, C.; Lu, D. D.; Chen, M.; Hu, C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.16-19
Terahertz Heterodyne Communication Using GaAs Field-Effect Transistor Receiver
Blin, S.; Nouvel, P.; Penarier, A.; Hesler, J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.20-23
Coupling-Shielded Inductor for High Isolation Between PA and LC-Based DCO
Yoo, S.; Lee, K.; Yoo, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.24-27
Volatility Characterization for RRAM Devices
Gupta, I.; Serb, A.; Berdan, R.; Khiat, A.; Prodromakis, T. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.28-31
Short Time High-Resistance State Instability of TaOx-Based RRAM Devices
Li, X.; Wu, H.; Gao, B.; Deng, N.; Qian, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.32-35
Ahn, M.; Cho, W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 p.36-39
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