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Laser-Assisted Processing of VIAs for AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrates
Kruger, O.; Schone, G.; Wernicke, T.; Lossy, R.; Liero, A.; Schnieder, F.; Wurfl, J.; Trankle, G. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.425-427
High-Performance E-Mode AlGaN/GaN HEMTs
Palacios, T.; Suh, C.-S.; Chakraborty, A.; Keller, S.; DenBaars, S. P.; Mishra, U. K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.428-430
A New Compact Model for the Avalanche Effect in InAlAs/InGaAs HBTs
Weiss, O.; Baureis, P.; Kellmann, N.; Weber, N.; Weigel, R. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.431-434
ScN~x Gate on Atomic Layer Deposited HfO~2 and Effect of High-Pressure Wet Post Deposition Annealing
Yang, H.; Lee, D.; Rahman, M. S.; Hasan, M.; Jung, H.-S.; Hwang, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.435-438
Xu, J. P.; Lai, P. T.; Li, C. X.; Zou, X.; Chan, C. L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.439-441
Enhancing Leakage Suppression in Carbon-Rich Silicon Junctions
Tan, C. F.; Chor, E. F.; Lee, H.; Quek, E.; Chan, L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.442-444
Sb-Se-Based Phase-Change Memory Device With Lower Power and Higher Speed Operations
Yoon, S.-M.; Lee, N.-Y.; Ryu, S.-O.; Choi, K.-J.; Park, Y.-S.; Lee, S.-Y.; Yu, B.-G.; Kang, M.-J.; Choi, S.-Y.; Wuttig, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.445-447
Effect of Deposition Chemistry and Annealing on Charge in HfO~2 Stacks
Zhang, Z.; Campbell, S. A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.448-450
Charge-Transport Characteristics in Bistable Resistive Poly(N-Vinylcarbazole) Films
Lai, Y.-S.; Tu, C.-H.; Kwong, D.-L.; Chen, J. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.451-453
HfAlON n-MOSFETs Incorporating Low-Work Function Gate Using Ytterbium Silicide
Wu, C. H.; Hung, B. F.; Chin, A.; Wang, S. J.; Yen, F. Y.; Hou, Y. T.; Jin, Y.; Tao, H. J.; Chen, S. C.; Liang, M. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 p.454-456
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