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Sb-Heterostructure Millimeter-Wave Detectors With Reduced Capacitance and Noise Equivalent Power
Su, N.; Rajavel, R.; Deelman, P.; Schulman, J.N.; Fay, P. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 p.536-539
A Novel SR Latch Device Realized by Integration of Three-Terminal Ballistic Junctions in InGaAs/InP
Sun, J.; Wallin, D.; Maximov, I.; Xu, H.Q. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 p.540-542
Enhancement and Depletion Mode AlGaN/GaN CAVET With Mg-Ion-Implanted GaN as Current Blocking Layer
Chowdhury, S.; Swenson, B.L.; Mishra, U.K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 p.543-545
Emitter-Size Effects and Ultimate Scalability of InP:GaInP/GaAsSb
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Chin, H.-C.; Zhu, M.; Tung, C.-H.; Samudra, G.S.; Yeo, Y.-C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 p.553-556
Fabrication of Self-Aligned Enhancement-Mode In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As MOSFETs With TaN/HfO~2
Shahrjerdi, D.; Rotter, T.; Balakrishnan, G.; Huffaker, D.; Tutuc, E.; Banerjee, S.K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 p.557-560
Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD
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