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이 학술지의 논문 검색
Shih, Yen Hao;Hwu, Jenn Gwo Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.545-547
High-performance InGaP/InxGa₁-xAs HEMT with an inverted delta-doped V-shped channel structure
Liu, Wen Chau;Chang, Wen Lung;Lour, Wen Shiung;Pan, Hsi Jen;Wang, Wei Chou;Chen, Jing Yuh;Yu, Kuo Hui;Feng, Shun Ching Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.548-550
Very high gain millimeter-wave InAlAs/InGaAs/GaAs metamorphic HEMT's
Hwang, K. C.;Chao, P. C.;Creamer, C.;Nichols, K. B.;Wang, S.;Tu, D.;Kong, W.;Dugas, D.;Patton, G. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.551-553
Performance dependence of InGaP/InGaAs/GaAs pHEMT's on gate metallization
Fay, P.;Stevens, K.;Elliot, J.;Pan, N. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.554-556
Accurately modeling the drain to source current in recessed gate P-HEMT devices
Ferma>ndez, T.;Garci>a, J. A.;Tazo>n, A.;Mediavilla, A.;Pedro, J. C.;Garci>a, J. L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.557-559
(A)polycrystalline silicon thin-film transistor with a thin amorphous buffer
Kim, Kyung Wook;Cho, Kyu Sik;Jang, Jin Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.560-562
Corner-parasitics-free low-cost trench isolation
Schwalke, U.;Gabric, Z.;Elbel, N.;Bothe, K.;Hadawi, D.;Janssen, I.;Schon, P.;Inioutis, A.;Klose, R.;Plagmann, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.563-565
Wong, Man;Bhat, Gururaj A.;Kwok, Hoi S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.566-568
(A)novel ultrathin elevated channel low-temperature poy-Si TFT
Zhang, Shengdong;Zhu, Chunxiang;Sin, Johnny K. O.;Mok, Philip K. T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.569-571
Improvement of junction leakage of nickel silicided junction by a Ti-capping layer
Hou, Tuo Hung;Lei, Tan Fu;Chao, Tien Sheng Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 p.572-573
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