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이 학술지의 논문 검색
Use of Au/Te/Ni films for ohmic contact to GaAs
Ghosh, C.;Yenigalla, P.;Atkins, K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.301-302
(A)study of the trench surface inversion problem in the trench CMOS technology
Cham, K. M.;Chiang, S. Y. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.303-305
High-speed low-voltage ring oscillators based on selectively doped heterojunction transistors
Feuer, M. D.;Hendel, R. H,;Kiehl, R. A.;Hwnag, J. C. M.;Keramidas, V. G.;Allyn, C. L.;Dingle, R. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.306-307
InP MOSFET's with plasma anodic Al₂O₃ and interlayed native oxide gate insulators
Matsui, M.;Hirayama, Y.;Arai, F.;Sugano, T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.308-310
(An)optically defined 1.3-㎛ NMOS ring oscillator
Sunami, H.;Shimohigashi, K.;Hashimoto, N. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.311-313
p+-n Junction formed by dual implantation of Zn and As in GaAs junction field-effect transistors
Taira, K.;Kasahara, J.;Kato, Y.;Arai, M.;Watanabe, N. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.314-316
0.4-㎛ Gate-length devices fabricated by contrast-enhanced lithography
Griffing, B. F.;West, P. R.;Heath, B. A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.317-320
Wagner, L F.;Young, R. W.;Sugerman, A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.320-322
Ultra-broad-band GaAs monolithic direct-coupled feedback amplifiers
Imai, Y.;Ito, H.;Ohwada, K.;Sugeta, T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.323-325
Channel-length effects in quarter-micrometer gate-length GaAs MESFET's
Chao, P. C.;Smith, P. M.;Wanuga, S.;Perkins, W. H.;Wolf, E. D. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.326-328
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