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이 학술지의 논문 검색
Reduced hot-electron effects in MOSFET's with an optimized LDD structure
Baglee, D. A.;Duvvury, C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.389-391
(A)low-power programming techniqud for polysilicon fuses
Lu, C. Y.;Lu, N. C. C.;Shih, C. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.392-394
Small geometry MOS transistor capacitance measurement method using simple on-chip circuits
Oristian, J.;Iwai, H.;Walker, J.;Dutton, R. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.395-397
Improvement of mask-limited yield with a vote-taking lithographic scheme
Fu, C. C.;Dameron, D. H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.398-400
(A)new MOSFET structure with self-aligned polysilicon source and drain electrodes
Oh, C. S.;Kim, C. K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.400-402
Application of the lamp-annealing method to the n+-layer of Wsix-gate self-aligned GaAs MSFET's
Ohnishi, T.;Yamaguchi, Y.;Inada, T.;Yakoyama, N.;Nishi, H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.403-405
(A)10-㎓ frequency divider using selectively doped heterostructure transistors
Hendel, R. H.;Pei, S. S.;Kiehl, R. A.;Tu, C. W.;Feuer, M. D.;Dingle, R. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.406-408
Admittance measurements on In0.53Ga0.47As/InP
Albrecht, H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.409-412
γ-Radiation effects on MOSFET's fabricated with NMOS submicrometer technology
Manchanda, L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.412-414
(A)high-gain GaAs amplifier with an AGC function
Imai, Y.;Kato, N.;Ohwada, K.;Sugeta, T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 p.415-417
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