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이 학술지의 논문 검색
Temperature dependence of threshold voltage in thin-film SOI MOSFETs
Groeseneken, G.;Colinge, J. P.;Maes, H. E.;Alderman, J. C.Holt, S. IEEE 1990 p.329-331
Dipole heterostructure field-effect transistor
Akinwande, T.;Zou, J.;Shur, M. S.Gopinath, A. IEEE 1990 p.332-333
Lateral high-speed metal-semiconductor-metal photodiodes on high-resistivity InGaAs
Wei, C. J.;Kuhl, D.;Bottcher, E. H.;Bimberg, D.Kuphal, E. IEEE 1990 p.334-335
The implementation of a reduced-field profile design for high-performance bipolar transistors
Lu, P. F.;Comfort, J. H.;Tang, D. D.;Meyerson, B. S.Sun, J. Y. C. IEEE 1990 p.336-338
Determination of interface trap capture cross sections using three-level charge pumping
Saks, N. S.Ancona, M. G. IEEE 1990 p.339-341
Inclusion of impact ionization in the backgating of GaAs FETs
Li, Z. M.;Day, D. J.;McAlister, S. P.Hurd, C. M. IEEE 1990 p.342-345
On/off current ratio in P-channel poly-Si MOSFETs: dependence on hot-carrier stress conditions
Rodder, M. IEEE 1990 p.346-348
A novel PMOS SOI polysilicon transistor
Pfiester, J. R.;Hayden, J. D.;Gunderson, C. D.;Lin, J. H.Kaushik, V. IEEE 1990 p.349-351
Comments, with reply, on 'Random telegraph noise of deep-submicrometer MOSFETs' by K.K. Hung et al
Ghibaudo, G. IEEE 1990 p.352-353
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