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이 학술지의 논문 검색
The voltage-doping transformation: a new approach to the modeling of MOSFET short-channel effects
Skotnicki, T.;Merckel, G.Pedron, T. IEEE 1988 p.109-112
Physical origin of the negative output resistance of heterojunction bipolar transistors
Dagli, N. IEEE 1988 p.113-115
A fully planar p-n-p heterojunction bipolar transistor
Sunderland, D. A.;Haden, J. M.;Dzurko, K. M.;Stanchina, W. E.;Lee, W. C.;Danner, A. D.Dapkus, P. D. IEEE 1988 p.116-118
Applications of resonant-tunneling field-effect transistors
Woodward, T. K.;McGill, T. C.;Chung, H. F.Burnham, R. D. IEEE 1988 p.122-124
Takano, C.;Taira, K.Kawai, H. IEEE 1988 p.125-127
Subthreshold current ion GaAs MESFETs
Conger, J.;Peczalski, A.Shur, M. S. IEEE 1988 p.128-129
Sakaki, H.;Motohisa, J. I.Hirakawa, K. IEEE 1988 p.133-135
An analytical expression for Fermi level versus sheet carrier concentration for HEMT modeling
Kola, S.;Golio, J. M.Maracas, G. N. IEEE 1988 p.136-138
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