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High Breakdown Voltage AlGaN-GaN HEMTs Achieved by Multiple Field Plates
Xing, H.; Dora, Y.; Chini, A.; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.161-163
Novel Nanoelectronic Triodes and Logic Devices With TBJs
Xu, H. Q.; Shorubalko, I.; Wallin, D.; Maximov, I.; Omling, P.; Samuelson, L.; Seifert, W. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.164-166
Minko, A.; Hoel, V.; Lepilliet, S.; Dambrine, G.; De Jaeger, J. C.; Cordier, Y.; Semond, F.; Natali, F.; Massies, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.167-169
High Bandwidth and Low-Leakage Current InP-In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As-InP DBHTs on GaAs Substrates
Kim, Y. M.; Griffith, Z.; Rodwell, M. J. W.; Gossard, A. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.170-172
Kaajakari, V.; Mattila, T.; Oja, A.; Kiihamaki, J.; Seppa, H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.173-175
Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RFICs
Rong, B.; Burghartz, J. N.; Nanver, L. K.; Rejaei, B.; van der Zwan, M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.176-178
Design and Performance of Thin Metal Film Interconnects for Skin-Like Electronic Circuits
Lacour, S. P.; Jones, J.; Suo, Z.; Wagner, S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.179-181
Stable Polycrystalline Silicon TFT With MICC
Kim, J. C.; Choi, J. H.; Kim, S. S.; Jang, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.182-184
930-V 170-mOmega · cm^2 Lateral Two-Zone RESURF MOSFETs in 4H-SiC With NO Annealing
Wang, W.; Banerjee, S.; Chow, T. P.; Gutmann, R. J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.185-187
Drain-Bias Dependence of Threshold Voltage Stability of Amorphous Silicon TFTs
Karim, K. S.; Nathan, A.; Hack, M.; Milne, W. I. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2004 p.188-190
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