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Streit, D. C.;Hafizi, M. E.;Umemoto, D. K.;Velebir, J. R.;Tran, L. T.;Oki, A. K.;Kim, M. E.;Wang, S. K.;Kim, C. W.;Sadwick, L. P.Hwu, R. J. IEEE 1991 p.194-196
Chew, W.;Bajuk, L. J.;Cooley, T. W.;Foote, M. C.;Hunt, B. D.;Rascoe, D. L.Riley, A. L. IEEE 1991 p.197-199
Characterization of probe contact noise for probes used in wafer-level testing
Yassine, A. M.;Clien, T. M.Beitman, B. A. IEEE 1991 p.200-202
Avalanche-induced effects in polysilicon thin-film transistors
Hack, M.Lewis, A. G. IEEE 1991 p.203-205
Harrang, J. P.;Daniels, R. R.;Fuji, H. S.;Griem, H. T.Ray, S. IEEE 1991 p.206-209
Novel InAs/(Al,Ga)Sb FET with direct gate-to-channel contact
Frank, D. J.;Tulipe, D. C. LaMunekata, H. IEEE 1991 p.210-212
High-power V-band pseudomorphic InGaAs HEMT
Tan, K. L.;Streit, D. C.;Dia, R. M.;Wang, S. K.;Han, A. C.;Chow, P. M. D.;Trinh, T. Q.;Liu, P. H.;Velebir, J. R.Yeii, H. C. IEEE 1991 p.213-214
Analytical voltage dependence of an unsaturated MESFET's gate capacitance
Folkes, P. A.;Taysing-Lara, M.;Buchwald, W.;Newman, P.Poli, L. IEEE 1991 p.215-217
Explanation and model for the logarithmic time dependence of p-MOSFET degradation
Wang, Q.;Brox, M.;Krautschneider, W. H.Weber, W. IEEE 1991 p.218-220
Physical understanding and optimum design of high-power millimeter-wave pulsed IMPATT diodes
Rolland, P. A.;Dalle, C.Friscourt, M. R. IEEE 1991 p.221-223
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