변조 도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD의 고속변조 특성 = Fabrication of High Speed Modulation Doped SMQW-PBH-DFB-LD

국문 초록 (Abstract)

초고속 광통신을 위한 고속변조용 단일모드 반도체 레이저로서 변조 도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 제작하고 변조특성을 축정 하였다. 제작된 소자의 최소 임계전류는 16.0mA, 최대 slope efficiency는 0.275mW/mA였다. 고속변조를 위한 활성층의 변조도핑으로 소자의 내부손실은 $37cm^{-1}$로 크게 주어졌으나. 이득계수의 증가에 따라 선폭확대계수는 1.8로 감소되었다. 소신호 변조 특성 측정 결과, $46mA(I_{th}+30mA)$ 에서의 공진주파수 8GHz, -3dB 차단주파수 10GHz 이상으로서 고속변조 특성이 우수한 변조도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 시험 제작하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We have made modulation doped SMQW-PBH-DFB-LD for high speed optical communications. The waveguide and barrier layers were doped by Zn with the concentration of $1.2 \times 10^{18}cm^{-1}$. Mean threshold current and slope efficiency were 24.88 mA (minimum 16 mA) and 0.197 mW/mA (maximum 0.275 mW/mA) respectively. Linewidth enhancement factor ($\alpha$) of MD-SMQW-PBH-DFB-LD was reduced than that of SMQW-PBH-DFB-LD. Linewidth enhancement factor of 1.8 owes to the large gain coefficient of modulation doped active layer. The resonance frequency was linearly increased with the square root of optical power. The resonance frequency in small signal modulation was measured as 8 GHz and -3 dB modulation bandwidth was 10 GHzat $46mA(I_{th}+30mA)$..