AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도($285W/m{\cdot}K$), 높은 비저항(${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미...
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주영준 (경상대학교) ; 박청호 (경상대학교) ; 정주진 (경상대학교) ; 강승민 (한서대학교) ; 류길열 ((재)포항산업과학연구원) ; 강성 ((재)포항산업과학연구원) ; 김철진 (경상대학교) ; Joo, Young Jun ; Park, Cheong Ho ; Jeong, Joo Jin ; Kang, Seung Min ; Ryu, Gil Yeol ; Kang, Sung ; Kim, Cheol Jin
2015
Korean
KCI등재,ESCI
학술저널
127-134(8쪽)
3
0
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AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도($285W/m{\cdot}K$), 높은 비저항(${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미...
AlN 단결정은 넓은 밴드갭(6.2 eV), 높은 열 전도도($285W/m{\cdot}K$), 높은 비저항(${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), 그리고 높은 기계적 강도와 같은 장점들 때문에 차세대 반도체 적용을 위한 많은 흥미를 끈다. 벌크 AlN 단결정 또는 박막 템플릿(template)들은 주로 PVT(Physical vapor transport)법, 플럭스(flux)법, 용액 성장(solution growth)법, 그리고 증기 액상 증착(HVPE)법에 의해 성장된다. 단결정이 성장하는 동안에 발생하는 결함들 때문에 상업적으로 어려움을 갖게 된 이후로 결함들 분석을 통한 결정 품질 향상은 필수적이다. 격자결함 밀도(EPD)분석은 AlN 표면에 입자간 방위차와 결함이 존재하고 있는 것을 보여준다. 투과전자현미경(TEM)과 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전체적인 결정 퀄리티와 다양한 결함의 종류들을 연구하는데 사용된다. 투과전자현미경(TEM)관찰로 AlN의 형태가 적층 결함, 전위, 이차상 등에 의해 크게 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 또한 전자후방산란회절(EBSD)분석은 전위의 생성을 유도하는 성장 결함으로서 AlN의 zinc blende 폴리모프(polymorph)가 존재하고 있는 것을 나타내고 있었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Aluminum nitride (AlN) single crystals have attracted much attention for a next-generation semiconductor application because of wide bandgap (6.2 eV), high thermal conductivity ($285W/m{\cdot}K$), high electrical resistivity (${\geq}10^{14}{\Omega}{\c...
Aluminum nitride (AlN) single crystals have attracted much attention for a next-generation semiconductor application because of wide bandgap (6.2 eV), high thermal conductivity ($285W/m{\cdot}K$), high electrical resistivity (${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), and high mechanical strength. The bulk AlN single crystals or thin film templates have been mainly grown by PVT (sublimation) method, flux method, solution growth method, and hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. Since AlN suffers difficulty in commercialization due to the defects that occur during single crystal growth, crystalline quality improvement via defects analyses is necessary. Etch pit density (EPD) analysis showed that the growth misorientations and the defects in the AlN surface exist. Transmission electron microscopy (TEM) and electron back-scattered diffraction (EBSD) analyses were employed to investigate the overall crystalline quality and various kinds of defects. TEM studies show that the morphology of the AlN is clearly influenced by stacking fault, dislocation, second phase, etc. In addition EBSD analysis also showed that the zinc blende polymorph of AlN exists as a growth defects resulting in dislocation initiator.
참고문헌 (Reference)
1 홍윤표, "화학적 습식 에칭을 통한 AlN와 GaN의 결함 및 표면 특성 분석" 한국결정성장학회 24 (24): 196-201, 2014
2 강승민, "무종자결정 상에 성장된 AlN 결정의 형태학적 연구" 한국결정성장학회 22 (22): 265-268, 2012
3 T. Matsumoto, "Zinc-blende aluminum nitride formation using low-energy ion beam assisted deposition" 242 : 424-, 2006
4 D. Zhung, "Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review" R48 : 1-, 2008
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9 F.-Z. Roki, "High temperature chemical vapor deposition of AlN/W1-XReX coating on bulk SiC" 205 : 1302-, 2010
10 강승민, "Growth of AlN crystals by the sublimation process" 한국결정성장학회 18 (18): 68-71, 2008
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11 Michimasa Miyanaga, "Evaluation of AlN single-crystal grown by sublimation method" 300 : 45-, 2007
12 Margarita P. Thompson, "Epitaxial growth of zincblende AlN on Si(100) substates by plasma source molecular beam epitaxy" 28 : 1999
13 D. Zhuang, "Defect-selective etching of bulk AlN single crystals in molten KOH/NaOH eutectic alloy" 262 : 5-, 2004
14 N.E. Christensen, "Calculated struc-tural phase transitions of aluminum nitride nuder pressure" 47 : 4307-, 1993
15 A. Shatskiy, "Alumium nitride crystal growth from Al-N system at 6.0 GPa and 1800o C" 10 : 2563-, 2010
16 강승민, "AlN 단결정 성장에 관한 연구" 한국결정성장학회 23 (23): 279-282, 2013
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학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2028 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2022-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | |
2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | |
2016-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | |
2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.2 | 0.17 | 0.244 | 0.09 |